FUJITSU富士通芯片存儲器原尺寸封裝MB15E04PFV1-G-BND-ER 我們的優(yōu)勢：存儲器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關(guān)鍵的組件之一，已經(jīng)形成主要由DRAM與NAND Flash構(gòu)成的超千億美元的市場。隨著萬物智聯(lián)時(shí)代的到來，

人工智能、智能汽車等新興應(yīng)用場景對存儲提出了更高的性能要求，促使新型存儲器迅速發(fā)展，影響未來存儲器市場格局。目前，

新型存儲器主要有4種：相變存儲器（PCM），鐵電存儲器（FeRAM），磁性存儲器（MRAM）和阻變存儲器（ReRAM）。

其中，F(xiàn)eRAM是一種理想的存儲器，在計(jì)算機(jī)、航天航空、軍工等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，世界上許多大的半導(dǎo)體公司對此都十分重視。

代理品牌富士通半導(dǎo)體正在批量生產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲器可以在最大 108MHz 的工

作頻率下實(shí)現(xiàn)每秒 54MByte 的數(shù)據(jù)傳輸率，并具有四個(gè) I/O 引腳的 Quad SPI 接口(圖1)。本產(chǎn)品具有高速運(yùn)算和非易失性的特點(diǎn)，

非常適合用于需要快速數(shù)據(jù)重寫的可編程邏輯控制器(PLC)和路由器等工業(yè)計(jì)算和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。

20 多年來，富士通半導(dǎo)體已量產(chǎn)的 FeRAM 產(chǎn)品，與 EEPROM 和閃存相比，具有更高的讀寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。到目前為止，這些高可靠性產(chǎn)品已成功應(yīng)用于工業(yè)、基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)和汽車領(lǐng)域。

FUJITSU富士通芯片存儲器原尺寸封裝MB15E04PFV1-G-BND-ER 提供各產(chǎn)品信息服務(wù):此外，一些客戶一直在要求 FeRAM 可以在非易失性存儲器的同時(shí)進(jìn)行快速數(shù)據(jù)傳輸。我們很高興能夠通過 Quad SPI 4Mbit FeRAM 產(chǎn)品滿足這一要求。

MB85RQ4ML采用Quad SPI接口和1.8V電源電壓，在108MHz工作頻率下數(shù)據(jù)傳輸速率為54MB/s。在此產(chǎn)品發(fā)布之前，

具有 16 個(gè) I/O 引腳的并行接口的 4Mbit FeRAM 是最快的 FeRAM，具有 13MB/s 的數(shù)據(jù)傳輸速度。然而，MB85RQ4ML

只有四個(gè) I/O 管腳，讀寫數(shù)據(jù)大約是并行接口 FeRAM 的 4 倍(圖3)。 其封裝為 16pin SOP，封裝尺寸為 7.5mm x 10.3mm。

數(shù)據(jù)傳輸率比較

如果您在產(chǎn)品中使用閃存、EEPROM 或低功耗 SRAM，并且遇到以下任何問題，請考慮使用富士通半導(dǎo)體的 FeRAM 解決方案。

狀態(tài)：使用閃存 問題：由于寫入耐久性較低，軟件開發(fā)負(fù)擔(dān)較大

閃存保證幾十萬次的寫周期。如果數(shù)據(jù)被多次寫入內(nèi)存中的同一區(qū)域，該區(qū)域很快就會達(dá)到保證寫入周期時(shí)間的上限。

因此，設(shè)計(jì)工程師必須開發(fā)一種名為“wear leveling"的軟件來分配內(nèi)存區(qū)域中的寫入位置，以使數(shù)據(jù)不會多次寫入同一位置。

軟件開發(fā)的工作量對設(shè)計(jì)工程師來說是一個(gè)非常大的負(fù)擔(dān)。而 FeRAM 保證 10 萬億次讀/寫周期，并且數(shù)據(jù)可以像低功耗 SRAM 一樣被覆蓋到內(nèi)存區(qū)域。

這些功能有助于設(shè)計(jì)工程師，因?yàn)楣こ處煵恍枰_發(fā)復(fù)雜的數(shù)據(jù)寫入軟件，例如磨損均衡

磨損均衡示意圖

狀態(tài)：使用 EEPROM 問題：數(shù)據(jù)寫入時(shí)間較長

EEPROM 即使是 8 位數(shù)據(jù)寫入也有 5ms 的寫入周期時(shí)間，因?yàn)樗藢懭氩僮髦膺€包括擦除操作。另一方面，F(xiàn)eRAM 具有較短的寫入時(shí)間，例如在 8 位數(shù)據(jù)寫入時(shí)為數(shù)百納秒，因?yàn)樗恍枰脸僮鳎▓D5）。此外，帶有 SPI 接口的 EEPROM 在最高 20MHz 的工作頻率下具有 2.5Mbyte/s 的數(shù)據(jù)傳輸率。而富士通半導(dǎo)體的 Quad SPI FeRAM 有 54Mbyte/s，是 EEPROM 的 20 倍以上。

寫入時(shí)間比較

狀態(tài)：使用 SRAM 問題：難以取出電池并減少組件安裝面積

低功耗 SRAM 需要電池來保存數(shù)據(jù)以保存寫入的數(shù)據(jù)，但由于非易失性存儲器，F(xiàn)eRAM 不需要電池。然后，由于 SRAM 有 16 個(gè) I/O 引腳，許多 SRAM 采用 44pin TSOP 封裝形式，但 MB85RQ4ML 采用 16pin SOP 封裝，具有 4 個(gè) I/O 引腳。這意味著，如果您將 SRAM 替換為 FeRAM，您可以通過移除電池并使用更小的封裝來減少 77% 的內(nèi)存安裝面積

MB96345YSAPMC-GSE2

CY91F465PAPMC-GS-UJE2  

MB96345YSAPQC-GSE2

MB96345YWAPMC-GSE2

MB96345YWAPQC-GSE2

MB39A116

MB15E04PFV1-G-BND-ER

3MBI50SX-120-02

D5CF-881M50-D1F1-V

MB89255A/B

6MBP150RTS120

MB8279RT-20

6MBI60FA-060

6MBP25RC120

MB8843M-G-196L

MB89166PF-G-244

6MBP30RY060

MBM29DL324BD-90TN

MBM29F400TA90PFFJ

MBM29F200TC-90PFTN

88346L

74F1071

MB15F78ULPVA

MB85RS4MTY

MB85RS4MLY

MB85RS2MTY

MB85RS2MLY

MB85RS256TYA-

MB85RS256TY

MB85RS128TY

MB85RS64VY

MB85RQ8MX

MB85RQ8MLX

MB85RS4MTY

MB85RS4MLY

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MB85RS2MTY

MB85RS2MLY

MB85RS2MTA

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MB85RS1MT

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MB85RS128B

MB85RS64VY

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MB85RS64T--

MB85RS64V

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MB85RDP16LX

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MB85RC256V

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MB85RC64A

MB85RC64V

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MB85RC16V

MB85RC04

MB85RC04V

MB85R8M1TA

MB85R8M2TA

MB85R8M2T

MB85R4M2T

MB85R4001A

MB85R4002A

MB85R1001A

MB85R1002A

MB85R256F

MB85AS12MT

MB85AS8MT